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KTB778

更新时间: 2024-11-17 22:32:03
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KEC 晶体放大器晶体管功率放大器高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 284K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER)

KTB778 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:TO-3P(H)IS, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.72外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):55
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

KTB778 数据手册

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