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KTB985

更新时间： 2024-01-01 15:44:13
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体驱动器继电器晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 91K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (VOLTAGE REGULATOR RELAY DRIVERS LAMP DRIVER, ELECTRICAL EQUIPMENT)

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KTB985 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, R-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：140
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：R-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

KTB985 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTB985  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS  
LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT  
B
D
FEATURES  
ᴌAdoption of MBIT processes.  
ᴌLow collector-to-emitter saturation voltage.  
ᴌFast switching speed.  
DIM MILLIMETERS  
P
DEPTH:0.2  
A
B
C
D
7.20 MAX  
5.20 MAX  
0.60 MAX  
C
Q
S
ᴌLarge current capacity and wide ASO.  
ᴌComplementary to KTD1347.  
2.50 MAX  
E
F
1.15 MAX  
1.27  
K
G
H
J
1.70 MAX  
0.55 MAX  
14.00+0.50  
F
F
_
K
L
M
0.35 MIN  
H
H
H
_
0.75+0.10  
E
4
25  
1.25  
Φ1.50  
0.10 MAX  
M
M
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
N
O
P
Q
R
S
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Vollector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
L
1
2
3
H
N
N
-60  
_
12.50+0.50  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
1.00  
-50  
V
-6  
V
Collector Current  
-3  
A
TO-92L  
ICP  
Collector Current (Pulse)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
-6  
1
A
PC  
W
ᴱ
ᴱ
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN. TYP. MAX. UNIT.  
VCB=-40V, IE=0  
-
-
-
-1  
-1  
ὧ
ὧ
IEBO  
VEB=-4V, IC=0  
-
100  
35  
-
hFE (1) (Note)  
hFE (2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCE=-2V, IC=-100Ὠ  
VCE=-2V, IC=-3A  
IC=-2A, IB=-100Ὠ  
IC=-2A, IB=-100Ὠ  
VCE=-10V, IC=-50Ὠ  
VCB=-10V, IE=0, f=1ὲ  
-
400  
-
DC Current Gain  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-0.35  
-0.94  
150  
39  
-0.7  
-1.2  
-
V
V
-
-
ὲ
ὸ
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
I
PW=20µs  
B1  
<
DC 1%  
=
ton  
tstg  
tf  
Turn-on Time  
-
-
-
70  
450  
35  
-
-
-
R8  
I
INPUT  
B2  
25  
VR  
Switching  
Storage Time  
Time  
50  
nS  
100Ω  
470Ω  
5V  
-10I 1=10I =I =1A  
-25V  
Fall Time  
B
B2  
C
Note : hFE (1) Classification A:100ᴕ200, B:140ᴕ280, C:200ᴕ400  
1999. 11. 30  
Revision No : 1  
1/3  
123

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