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KTC1006

更新时间: 2024-11-16 22:32:03
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页数 文件大小 规格书
2页 251K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (CB TRANSCEIVER TX DRIVER)

KTC1006 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-92L
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.8
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

KTC1006 数据手册

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