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KTC1027Y

更新时间： 2024-09-27 21:19:31

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	109K
描述
Transistor

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KTC1027Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

KTC1027Y 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92L

KTC1027 TRANSISTOR (NPN)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

Complementary to KTA1023

High Voltage Applications

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

120

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

120

Collector Current

0.8

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

0.75

167

R_θJA

T_j

℃/W

℃

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

120

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=1mA,I_E=0

I_C=10mA,I_B=0

I_E=1mA,I_C=0

V_CB=120V,I_E=0

0.1

240

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=5V, I_C=100mA

I_C=500mA,I_B=50mA

V_CE=5V, I_C=500mA

V_CB=10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=5V,IC=100mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Collector output capacitance

Transition frequency

C_ob

f_T

120

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

80-160

120-240

A,Dec,2010

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