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KTB817

更新时间: 2024-11-19 22:32:03
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KEC 晶体放大器晶体管功率放大器局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
3页 288K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER)

KTB817 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:TO-3P(N), 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.68Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:140 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):15 MHz
Base Number Matches:1

KTB817 数据手册

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