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KTB688

更新时间: 2024-11-17 22:32:03
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KEC 晶体放大器晶体管功率放大器局域网高功率电源
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2页 285K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(HIGH POWER AMPLIFIER)

KTB688 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:TO-3P(N), 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.36Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):55
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):80 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

KTB688 数据手册

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