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KTB764 PDF预览

KTB764

更新时间： 2024-11-17 22:27:15
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体驱动器调节器继电器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(VOLTAGE REGULATOR, RELAY, RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE)

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KTB764 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, R-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.75
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：R-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

KTB764 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTB764  
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
VOLTAGE REGULATOR, RELAY,  
RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE  
B
D
FEATURES  
ᴌHigh Voltage : VCEO=-50V(Min.).  
ᴌHigh Current : IC(Max.)=-1A.  
ᴌHigh Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.).  
ᴌWide Area of Safe Operation.  
ᴌComplementary to KTD863.  
DIM MILLIMETERS  
P
DEPTH:0.2  
A
B
C
D
7.20 MAX  
5.20 MAX  
0.60 MAX  
C
Q
S
2.50 MAX  
E
F
1.15 MAX  
1.27  
K
G
H
J
1.70 MAX  
0.55 MAX  
14.00+0.50  
F
F
_
K
L
M
0.35 MIN  
H
H
H
_
0.75+0.10  
E
4
25  
1.25  
Φ1.50  
0.10 MAX  
M
M
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
N
O
P
Q
R
S
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
V
L
1
2
3
H
N
N
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-60  
_
12.50+0.50  
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
1.00  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-50  
V
-5  
V
DC  
-1  
Collector Current  
A
TO-92L  
ICP  
Pulse  
-2  
1
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
W
ᴱ
ᴱ
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
ỌA  
VCB=-50V, IE=0  
Collector Cut-off Current  
IEBO  
-
-
-
-1  
-1  
320  
-
VEB=-4V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
-
-
ỌA  
hFE(1)  
hFE(2)  
V(BR)CEO  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCE=-2V, IC=-50mA  
VCE=-2V, IC=-1A  
60  
30  
-50  
-
-
IC=-1mA, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-
-
V
V
IC=-500mA, IB=-50mA  
IC=-500mA, IB=-50mA  
VCE=-10V, IC=-50mA  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
-0.2  
-0.85  
150  
20  
-0.7  
-1.2  
-
-
V
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Note : hFE(1) Classification O:60ᴕ120, Y:100ᴕ200, GR:160ᴕ320  
1999. 11. 30  
Revision No : 2  
1/3  
123

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