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KTB1151

更新时间: 2024-11-17 22:32:03
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页数 文件大小 规格书
3页 383K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT)

KTB1151 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SIP
包装说明:TO-126, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.72
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

KTB1151 数据手册

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