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KTB1234T

更新时间： 2024-01-17 13:44:34

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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2页	77K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KTB1234T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	3000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KTB1234T 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTB1234T

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

DRIVER APPLICATIONS.

FEATURES

ᴌAF amplifier, solenoid drivers, LED drivers.

ᴌDarlington connection.

DIM MILLIMETERS

2.9+0.2

1.6+0.2/-0.1

ᴌHigh DC current gain.

ᴌVery small-sized package permitting sets to be made

smaller and slimer.

0.70+0.05

0.4+0.1

2.8+0.2/-0.3

1.9+0.2

0.95

ᴌComplementary to KTD1854T.

0.16+0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

0.55

MAXIMUM RATINGS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-80

UNIT

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

-50

-10

Pulse

-200

-400

0.9

Collector Current

TSM

I_CP

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

ᴱ

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)

Marking

EQUIVALENT CIRCUIT

Lot No.

COLLECTOR

Type Name

S Y

BASE

EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

-100

UNIT

V_CB=-60V, I_E=0

I_EBO

V_EB=-8V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

-100

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_C=-10ỌA, I_E=0

-80

-50

-10

5000

3000

I_C=-1mA, I_B=0

I_C=-10ỌA, I_C=0

h_FE

V_CE=-2V, I_C=-10mA

V_CE=-2V, I_C=-100mA

I_C=-100mA, I_B=-100ỌA

DC Current Gain

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

-0.9

-1.5

-2.0

2001. 10. 23

Revision No : 0

1/2

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