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KTB1366

更新时间: 2024-05-23 22:22:15
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蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
6页 1127K
描述
TO-220F

KTB1366 技术参数

生命周期:Active包装说明:TO-220IS, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.7
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):9 MHz
Base Number Matches:1

KTB1366 数据手册

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KTB1366  
Rev.F Mar.-2016  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-220F 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package.  

特征 / Features  
饱和压降低,与 KTD2058 互补。  
Low saturation voltage, complementary to KTD2058.  
用途 / Applications  
用于一般放大。  
General purpose amplifier.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
1
2
3
PIN1Base  
PIN 2Collector  
PIN 3Emitter  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
h
FE Classifications  
O
Y
Symbol  
hFE Range  
60120  
100200  
http://www.fsbrec.com  
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