5秒后页面跳转
KTB1260 PDF预览

KTB1260

更新时间: 2024-11-16 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 121K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)

KTB1260 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.71
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

KTB1260 数据手册

  

与KTB1260相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KTB1366 KEC

获取价格

TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)
KTB1366 WINNERJOIN

获取价格

TRANSISTOR (PNP)
KTB1366 CJ

获取价格

TO-220F
KTB1366 FOSHAN

获取价格

TO-220F
KTB1367 KEC

获取价格

TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)
KTB1367 CJ

获取价格

TO-220F
KTB1367O CJ

获取价格

Transistor
KTB1367Y CJ

获取价格

Transistor
KTB1368 KEC

获取价格

TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)
KTB1368 FOSHAN

获取价格

TO-220F