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KTB1366

更新时间: 2024-01-25 05:31:16
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KEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 296K
描述
TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)

KTB1366 技术参数

生命周期:Active包装说明:TO-220IS, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.7
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):9 MHz
Base Number Matches:1

KTB1366 数据手册

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