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KTA733

更新时间： 2024-01-05 05:06:26
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KEC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)

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KTA733 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

KTA733 数据手册

 浏览型号KTA733的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTA733  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
SWITCHING APPLICATION.  
B
C
FEATURES  
ᴌExcellent hFE Linearity.  
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.)  
ᴌLow Noise : NF=1dB(Typ.). at f=1kHz  
ᴌComplementary to KTC945.  
DIM MILLIMETERS  
N
A
B
C
D
E
4.70 MAX  
4.80 MAX  
3.70 MAX  
0.45  
E
K
D
G
1.00  
F
1.27  
G
H
J
K
L
0.85  
0.45  
_
H
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
14.00 +0.50  
0.55 MAX  
2.30  
0.45 MAX  
1.00  
F
F
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
SYMBOL  
RATING  
-60  
UNIT  
V
M
N
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
3
1
2
-50  
V
1. EMITTER  
2. COLLECTOR  
3. BASE  
-5  
V
Collector Current  
-150  
625  
mA  
mW  
ᴱ
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
TO-92  
Tj  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
ᴱ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT  
IC=-100ỌA, IE=0  
-60  
-50  
-5  
-
-
-
-
V
V
IC=-1mA, IB=0  
-
IE=-100ỌA, IC=0  
-
-
-
V
VCB=-50V, IE=0  
-0.1  
-0.1  
600  
-0.3  
-1.1  
-
ỌA  
ỌA  
IEBO  
VEB=-5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-
hFE (Note)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCE=-6V, IC=-2mA  
IC=-100mA, IB=-10mA  
IC=-100mA, IB=-10mA  
VCE=-10V, IC=-10mA  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
DC Current Gain  
90  
-
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-0.1  
-
V
V
-
-
300  
4
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
Noise Figure  
-
7
NF  
VCE=-6V, IC=-0.1mA Rg=10kή, f=1kHz  
-
1.0  
10  
dB  
Note : hFE Classification  
R:90ᴕ180, Q:135ᴕ270, P:200ᴕ400, K:300ᴕ600  
2001. 9. 14  
Revision No : 2  
1/2  
12

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