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KTB1124 PDF预览

KTB1124

更新时间： 2024-11-16 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体驱动器继电器晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 91K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (VOLTAGE REGULATOR RELAY LAMP DRIVER, ELECTRICAL EQUIPMENT)

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KTB1124 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.68
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

KTB1124 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTB1124  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
VOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS  
LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENT  
A
H
C
FEATURES  
ᴌAdoption of MBIT processes.  
ᴌLow collector-to-emitter saturation voltage.  
ᴌFast switching speed.  
G
DIM MILLIMETERS  
ᴌLarge current capacity and wide ASO.  
ᴌComplementary to KTD1624.  
A
B
C
D
E
F
4.70 MAX  
D
_
+
D
2.50 0.20  
1.70 MAX  
0.45+0.15/-0.10  
4.25 MAX  
K
F
F
_
+
1.50 0.10  
G
H
J
0.40 TYP  
1.75 MAX  
0.75 MIN  
1
2
3
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
K
0.5+0.10/-0.05  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Vollector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
UNIT  
V
1. BASE  
-60  
2. COLLECTOR (HEAT SINK)  
3. EMITTER  
-50  
V
-6  
V
-3  
-6  
A
SOT-89  
ICP  
Collector Current(Pulse)  
A
PC  
500  
mW  
W
Collector Power Dissipation  
PC*  
1
Marking  
Tj  
Junction Temperature  
150  
ᴱ
ᴱ
h
Rank  
Lot No.  
FE  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55ᴕ150  
2
* : Package mounted on ceramic substrate(250mm ᴧ0.8t)  
Type Name  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP. MAX. UNIT.  
VCB=-40V, IE=0  
-
-
-
-1  
-1  
ὧ
ὧ
IEBO  
VEB=-4V, IC=0  
-
100  
35  
-
hFE(1) (Note)  
hFE (2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
VCE=-2V, IC=-100Ὠ  
VCE=-2V, IC=-3A  
IC=-2A, IB=-100Ὠ  
IC=-2A, IB=-100Ὠ  
VCE=-10V, IC=-50Ὠ  
VCB=-10V, f=1ὲ  
-
400  
-
DC Current Gain  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-0.35  
-0.94  
150  
39  
-0.7  
-1.2  
-
V
V
-
-
ὲ
ὸ
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
I
PW=20µs  
B1  
<
DC 1%  
=
ton  
tstg  
tf  
R8  
I
Turn-on Time  
-
-
-
70  
450  
35  
-
-
-
INPUT  
B2  
25  
VR  
Switching  
Storage Time  
Time  
50  
nS  
100Ω  
470Ω  
5V  
-10I 1=10I =I =1A  
-25V  
Fall Time  
B
B2  
C
Note : hFE (1) Classification A:100ᴕ200, B:140ᴕ280, C:200ᴕ400  
2001. 12. 6  
Revision No : 3  
1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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