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KTB1151

更新时间： 2024-11-21 17:01:43

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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3页	337K
描述
60V,5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

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KTB1151 数据手册

Epitaxial Planar PNP Transistor

KTB1151

Features



High Power Dissipation.

Complementary to KTD1691.

Mechanical Data



Case: TO-126.

Molding Compound, UL Flammability Classification Rating 94V-0.

Terminals: Matte Tin Plated Leads, Solderable per MIL-STD-202, Method

208.

KTB1151

TO-126

Ordering Information

Part Number

Package

Shipping

Marking Code

KTB1151

TO-126

200pcs / Bag

KTB1151

Maximum Ratings (@T_A=25℃ unless otherwise specified.)

Symbol

Parameter

Value

Units

MAXIMUM RATINGS-TRANSISTOR

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Collector-base Voltage

-60

-7

Collector-emitter Voltag

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

I_C

I_B

Pulse^(Note1)

-8

-1

Thermal Characteristic

Power Dissipation

T_A=25℃

T_C=25℃

1.5

℃

P_D

Power Dissipation

T_J

Junction Temperature

-55 to +150

T_STG

Junction and Storage Temperature

NoteS:1、PW≤10ms, Duty Cycle≤50%.

2、PW≤350us, Duty Cycle≤2% Pulse.

STM0299A

www.gmesemi.com

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