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KTA1664-O

更新时间： 2024-02-23 06:23:02

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美微科 - MCC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	268K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistors

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KTA1664-O 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

KTA1664-O 数据手册

KTA1664-O

KTA1664-Y

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

Features

xꢀ Low Collector Saturation Voltage

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

xꢀ Execllent current-to-gain characteristics

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

ꢀ

Moisure Sensitivity Level 1

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

ꢀ

Maximum Ratings

SOT-89

ꢀ

Symbol

Rating

Unit

ꢀ

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

-30

ꢀ

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-35

-5.0

-0.8

ꢀ

P_C

Collector power dissipation

0.5

ꢀ

R_thJA

Thermal Resistance From Junction To Ambient

250

^oC/W

ꢀ

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

ꢀ

T_STG

-55 to +150

ꢀ

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

V_(BR)CBO

Collector-base Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

Emitter-base Breakdown Voltage

(I_E=-1mAdc, I_C=0)

-35

---

Vdc

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-30

-5

---

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-35Vdc,I_E=0)

---

-0.1

uAdc

1. Base

I_EBO

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-5Vdc, I_C=0)

DC Current Gain

(I_C=-1Adc, V_CE=-2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-20mAdc)

Base-Emitter Voltage

---

2. Collector

3. Emitter

ꢀ

h_FE(1)

V_CE(sat)

V_BE

100

---

320

-0.7

-0.8

---

Vdc

MHz

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢄꢅꢆ

ꢈꢀꢇꢆ

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1.55

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-0.5

---

ꢉꢆ

ꢖ

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ꢀ

ꢇꢇꢇꢇꢇ

(I_C=-10mAdc, V_CE=-1Vdc)

Transition Frequency

.061

REF.

f_T

120

ꢂꢆ

ꢈꢆ

ꢄꢆ

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ꢆ

(V_CE=-5Vdc, I_C=-10mAdc)

Collector output capacitance

(V_CB=-10Vdc, I_E=0,f=1.0MHz)

ꢆ

C_ob

---

ꢌꢛꢜꢆ

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ꢕꢍꢗꢐꢆ

ꢕꢍꢒꢎꢆ

ꢎꢍꢔꢕꢆ

ꢆ

CLASSIFICATION OF H^{FE (1)}

Rank

Range

Marking

100-200

180-390

ꢆ

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2013/12/25

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KTA1664-O-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
KTA1664-O-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
KTA1664P	WEITRON	获取价格	Transistor
KTA1664Q	WEITRON	获取价格	暂无描述
KTA1664R	WEITRON	获取价格	暂无描述
KTA1664Y	CJ	获取价格	Transistor
KTA1664-Y	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
KTA1664-Y	MCC	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors
KTA1664-Y-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
KTA1666	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR (PNP)

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