KTA1664R

更新时间： 2024-11-18 13:09:11

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WEITRON		晶体晶体管
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KTA1664R 数据手册

KTA1664

NPN Epitaxial Planar Transistors

P b

Lead(Pb)-Free

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

SOT-89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25˚C)

Rating

Symbol

Limits

Unit

Collector-Base Voltage

CBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

CEO

EBO

5.0

Collector Current

1.0

0.5

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

-55 to +150

˚C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T =25˚C unless otherwise noted)

Min

Typ

Parameter

Symbol

Max

Unit

Collector-Base Breakdown Voltage

CBO

CEO

EBO

CBO

EBO

I =50µA, I =0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I =1mA, I =0

Emitter-Base Breakdown Voltage

I =50µA, I =0

Collector Cutoꢀ Current

=20V, I =0

0.5

µA

Collector Cutoꢀ Current

=4V, I =0

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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11-Dec-08

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