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KTA1666

更新时间： 2024-11-19 14:53:11

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	871K
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双极型晶体管

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KTA1666 技术参数

极性：	PNP	Collector-emitter breakdown voltage：	50
Collector Current - Continuous：	2	DC current gain - Min：	70
DC current gain - Max：	240	Transition frequency：	120
Package：	SOT-89	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

KTA1666 数据手册

KTA1666

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

SOT-89

4.6

4.4

1.6

1.4

1.8

1.4

2.6

4.25

2.4

3.75

0.8

MIN

0.53

Features

0.40

0.48

2x)

0.35

1.5

0.44

0.37

0.13

High speed switching time.

3.0

Low saturation voltage:V_CE(sat)=-0.5V(Max)

P_C=1~2W(Mounted on ceramic substrate)

Small flat package.

Dimensions in inches and (millimeters)

Complementary: KTC4379.

Applications

Power amplifier application.

Power switching application.

Ordering Information

Type No.

Marking

WO/WY

Package Code

SOT-89

KTA1666

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

-50

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-5

Collector Current -Continuous

Base Current

-2

I_B

-0.4

500

-55~150

Collector Dissipation

P_C

℃

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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