5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KSH350TM
KSH350TM PDF预览

KSH350TM

更新时间： 2024-11-21 19:40:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSH350TM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.25最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSH350TM 数据手册

 浏览型号KSH350TM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSH350TM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSH350TM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KSH350TM的Datasheet PDF文件第5页 
KSH350  
High Voltage Power Transistors  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 300  
- 300  
- 3  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
I
- 0.5  
- 0.75  
15  
A
C
A
CP  
P
Collector Dissipation (T = 25°C)  
W
W
°C  
C
C
Collector Dissipation (T = 25°C)  
1.56  
150  
a
T
Junction Temperature  
J
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= -1mA, I = 0  
-300  
V
CEO  
CEO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
V
= -300V, I =0  
-0.1  
-0.1  
240  
mA  
mA  
CB  
EB  
CE  
E
= -3V, I = 0  
C
h
* DC Current Gain  
= -10V, I = -50mA  
30  
FE  
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, October 2002  
12345

中文翻译

下载PDF

KSH350TM 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD350TF FAIRCHILD

类似代替

 High Voltage Power Transistors

与KSH350TM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSH41 SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH41C FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica
KSH41C SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH41C-I FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH41C-I SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH41CITU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic
KSH41CTF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic
KSH41CTF ONSEMI

获取价格

 		NPN外延硅晶体管
KSH41CTM FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
KSH41-I SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

与KSH350TM相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证