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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.74 | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH42C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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| KSH42C | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH42C-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSH42C-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSH42CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
|
| KSH42CTF | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KSH42CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| KSH42CTM | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
|
| KSH42I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSH42-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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