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KSH2955TF PDF预览

KSH2955TF

更新时间： 2024-11-21 20:01:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 47K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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KSH2955TF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：2 MHzBase Number Matches：1

KSH2955TF 数据手册

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KSH2955  
General Purpose Amplifier Low Speed  
Switching Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ -I “ Suffix)  
Electrically Similar to Popular KSE2955T  
DC Current Gain Specified to 10A  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
High Current Gain - Bandwidth Product:  
f = 2MHz (MIN), I = -500mA  
T
C
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 70  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
- 60  
- 5  
V
I
I
- 10  
A
C
Base Current  
- 6  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
I
= - 30mA, I = 0  
-60  
CEO  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= - 30V, I = 0  
- 50  
- 2  
µA  
CE  
CB  
EB  
E
= - 70V, I = 0  
mA  
mA  
E
= - 5V, I = 0  
- 0.5  
100  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= - 4V, I = - 4A  
20  
5
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, I = -10A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= - 4A, I = - 0.4A  
- 1.1  
- 8  
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= - 10A, I = - 3.3A  
B
(on)  
* Base-Emitter On Voltage  
V
V
= - 4V, I = - 4A  
-1.8  
V
CE  
CE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
= - 10V, I = - 500mA  
2
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300ms, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, October 2002  
12345

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KSH2955TF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD2955G ONSEMI

完全替代

 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications
KSH2955TM FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic

与KSH2955TF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSH2955-TF SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH2955TM FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic
KSH2955TM ONSEMI

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 		PNP外延硅晶体管
KSH29C FAIRCHILD

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 		General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
KSH29C SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH29CI FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic
KSH29C-I FAIRCHILD

获取价格

 		1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3
KSH29C-I SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH29CTF ONSEMI

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 		NPN外延硅晶体管
KSH29C-TF SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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