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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSH30C
KSH30C PDF预览

KSH30C

更新时间： 2024-11-24 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

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KSH30C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.74外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

KSH30C 数据手册

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KSH30/30C  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP30 and TIP30C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: KSH30  
: KSH30C  
- 40  
- 100  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: KSH30  
: KSH30C  
- 40  
- 100  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 1  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 3  
A
CP  
B
- 0.4  
15  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (Ta=25°C)  
Junction Temperature  
1.56  
150  
T
T
J
Storage Temperature  
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
: KSH30  
: KSH30C  
I
= - 30mA, I = 0  
- 40  
- 100  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
: KSH30  
V
V
= - 40V, I = 0  
= - 60V, I = 0  
B
- 50  
- 50  
µA  
µA  
CE  
CE  
B
: KSH30C  
Collector Cut-off Current  
: KSH30  
V
V
= - 40V, V = 0  
= 100V, V = 0  
BE  
- 20  
- 20  
µA  
µA  
CE  
CE  
BE  
: KSH30C  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
BE  
C
h
V
V
= - 4V, I = - 0.2A  
40  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= - 4V, I = - 1A  
75  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter On Voltage  
I
= - 1A, I = - 125mA  
- 0.7  
- 1.3  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= - 4A, I = - 1A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= - 10V, I = - 200mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300ms, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B3, October 2002  
12345

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与KSH30C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSH30CI FAIRCHILD

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 		1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3
KSH30C-I FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH30C-I SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSH30CITU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic
KSH30CTF FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic
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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/
KSH30-TF SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
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 		General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
KSH31C FAIRCHILD

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 		General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

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