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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.25 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH31C-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH31CTF | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
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| KSH31CTF | ONSEMI |
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NPN外延硅晶体管 |
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| KSH31CTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
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| KSH31I | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KSH31-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSH31TF | ROCHESTER |
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3A, 40V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 |
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| KSH31TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/ |
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| KSH32 | FAIRCHILD |
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General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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| KSH32C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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