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KSH31CI

更新时间: 2024-11-01 14:17:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 24K
描述
3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

KSH31CI 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.25
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):15 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

KSH31CI 数据手册

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