KSH340I

更新时间： 2024-09-13 13:09:11

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	45K
描述
0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3

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KSH340I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KSH340I 数据手册

KSH340

High Voltage Power Transistors

D-PAK for Surface Mount Applications

•

Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)

Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)

D-PAK

I-PAK

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

300

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

CBO

CEO

EBO

300

0.5

0.75

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Collector Dissipation (T =25°C)

1.56

150

Junction Temperature

Storage Temperature

- 65 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

* Collector Emitter Sustaining Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Test Condition

Min.

Max.

Units

(sus)

= 1mA, I = 0

300

CEO

EBO

= 300V, I =0

0.1

= 3V, I = 0

* DC Current Gain

= 10V, I = 50mA

240

* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%

Rev. A4, October 2002

12 3 4 5

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