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KSH350

更新时间： 2024-10-31 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 45K
描述
High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications

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KSH350 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.24Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSH350 数据手册

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KSH350  
High Voltage Power Transistors  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 300  
- 300  
- 3  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
I
- 0.5  
- 0.75  
15  
A
C
A
CP  
P
Collector Dissipation (T = 25°C)  
W
W
°C  
C
C
Collector Dissipation (T = 25°C)  
1.56  
150  
a
T
Junction Temperature  
J
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I
= -1mA, I = 0  
-300  
V
CEO  
CEO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
V
= -300V, I =0  
-0.1  
-0.1  
240  
mA  
mA  
CB  
EB  
CE  
E
= -3V, I = 0  
C
h
* DC Current Gain  
= -10V, I = -50mA  
30  
FE  
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, October 2002  
12345

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KSH350 替代型号

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 		Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plast
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