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KSH31C PDF预览

KSH31C

更新时间： 2024-11-24 22:32:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管
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6页 57K
描述
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications

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KSH31C 数据手册

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KSH31/31C  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)  
Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP31C  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
: KSH31  
: KSH31C  
40  
100  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
CEO  
: KSH31  
: KSH31C  
40  
100  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
EBO  
I
I
I
3
C
5
1
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.56  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
CEO  
CES  
EBO  
: KSH31  
: KSH31C  
I
= 30mA, I = 0  
40  
100  
V
V
C
B
I
I
I
Collector Cut-off Current  
: KSH31  
V
V
= 40V, I = 0  
50  
50  
µA  
µA  
CE  
V
B
: KSH31C  
= 60V, I = 0  
B
CE  
Collector Cut-off Current  
: KSH31  
= 40V, V = 0  
20  
20  
µA  
µA  
CE  
BE  
: KSH31C  
V
= 100V, V = 0  
BE  
CE  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1
mA  
BE  
C
h
V
V
= 4V, I = 1A  
25  
10  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 3A  
50  
1.2  
1.8  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter On Voltage  
I
= 3A, I = 375mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(on)  
V
V
= 4A, I = 3A  
C
CE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 500mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B3, October 2002  
123456

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KSH31C 替代型号

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