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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH3055 | FAIRCHILD |
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General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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| KSH3055I | FAIRCHILD |
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General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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| KSH3055-I | FAIRCHILD |
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General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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| KSH3055ITU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic |
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| KSH3055TF | ONSEMI |
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NPN外延硅晶体管 |
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| KSH3055-TF | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH3055TM | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
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| KSH3055TM | ONSEMI |
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NPN外延硅晶体管 |
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| KSH30A20 | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| KSH30C | FAIRCHILD |
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General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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