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| 京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 1243K |  |
| 描述 | ||
| Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between s | ||
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.47 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH30C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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| KSH30C | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH30CI | FAIRCHILD |
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1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 |
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| KSH30C-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH30C-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH30CITU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic |
|
| KSH30CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic |
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| KSH30-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSH30TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/ |
|
| KSH30-TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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