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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz |
| VCEsat-Max： | 8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH3055TM | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic |
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| KSH3055TM | ONSEMI |
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NPN外延硅晶体管 |
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| KSH30A20 | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| KSH30C | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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| KSH30C | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH30CI | FAIRCHILD |
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1 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 |
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| KSH30C-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH30C-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSH30CITU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic |
|
| KSH30CTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic |
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