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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSH3055-I
KSH3055-I PDF预览

KSH3055-I

更新时间： 2024-02-08 19:15:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications

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KSH3055-I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2 MHz
Base Number Matches：1

KSH3055-I 数据手册

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KSH3055  
General Purpose Amplifier  
Low Speed Switching Applications  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
•
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ -I “ Suffix)  
Electrically Similar to Popular KSE3055T  
DC Current Gain Specified to 10A  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
High Current Gain - Bandwidth Product:  
f = 2MHz (MIN), I = 500mA  
T
C
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
70  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
5
10  
V
I
I
A
C
Base Current  
6
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.75  
150  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
I
= 30mA, I = 0  
60  
CEO  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
I
V
V
V
= 30V, I = 0  
50  
2
µA  
CE  
CB  
EB  
E
= 70V, I = 0  
mA  
mA  
E
= 5V, I = 0  
0.5  
100  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= 4V, I = 4A  
20  
5
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 10A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 4A, I = 0.4A  
1.1  
8
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= 10A, I = 3.3A  
B
(on)  
* Base-Emitter On Voltage  
V
V
= 4V, I = 4A  
1.8  
V
CE  
CE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
= 10V, I = 500mA  
2
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A4, October 2002  
12345

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