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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 15 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH29CTF | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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| KSH29C-TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSH29I | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, Plastic/ |
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| KSH29-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSH29-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 |
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| KSH30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |
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| KSH30 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| KSH3055 | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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| KSH3055I | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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| KSH3055-I | FAIRCHILD |
获取价格 |
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applica |
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