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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD363OTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD363R | FAIRCHILD |
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B/W TV Horizontal Deflection Output |
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| KSD363-R | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD363RJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD363RTU | FAIRCHILD |
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NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL |
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| KSD363RTU | ONSEMI |
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NPN外延硅晶体管 |
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| KSD363Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD363-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD363YJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSD363YTU | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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