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KSD401G PDF预览

KSD401G

更新时间： 2024-11-14 18:52:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSD401G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5 MHz
Base Number Matches：1

KSD401G 数据手册

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KSD401  
TV Vertical Deflection Output  
•
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
=200V  
CBO  
Collector Current : I =2A  
C
Collector Dissipation : P =25W(T =25°C)  
C
C
Complement to KSB546  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
200  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
150  
5
V
I
2
25  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 500uA, I = 0  
200  
150  
5
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 10mA, I = 0  
V
B
= -500uA, I = 0  
V
C
I
V
V
= 150V, I = 0  
50  
400  
1
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
= 10V, I = 0.4A  
120  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= 500mA, I = 50mA  
V
CE  
C
B
f
V
= 10V, I = 0.4A  
5
MHz  
T
CE  
C
h
Classification  
FE  
Classification  
Y
G
h
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, February 2004  
1234

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KSD401G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSD73O FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSD401O FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

与KSD401G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSD401-G SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSD401GJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSD401J69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSD401O FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSD401-O SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSD401OJ69Z FAIRCHILD

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KSD401R ISC

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 		暂无描述
KSD401-R SAMSUNG

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KSD401RJ69Z FAIRCHILD

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KSD401Y FAIRCHILD

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 		TV Vertical Deflection Output

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