KSD401

更新时间： 2024-02-29 17:25:13

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	108K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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KSD401 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.46	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5 MHz	Base Number Matches：	1

KSD401 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

KSD401

DESCRIPTION

·Collector-Base Breakdown Voltage-

: V_(BR)CBO= 200V(Min)

·Collector Current- I_C= 2A

·Collector Power Dissipation-

: P_C= 25W@ T_C= 25℃

·Complement to Type KSB546

APPLICATIONS

·Designed for TV Vertical deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

200

150

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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