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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSD363RTU
KSD363RTU PDF预览

KSD363RTU

更新时间： 2024-11-18 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 电视
页数 文件大小 规格书
4页 63K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL

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KSD363RTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.35
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10 MHz
Base Number Matches：1

KSD363RTU 数据手册

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KSD363  
B/W TV Horizontal Deflection Output  
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
=300V  
CBO  
Collector Current : I =6A  
C
Collector Dissipation : P =40W(T =25°C)  
C
C
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
300  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
120  
8
V
I
6
40  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
=1mA, I = 0  
300  
120  
8
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 20mA, I = 0  
V
B
= 1mA, I = 0  
V
C
I
V
V
= 250V, I = 0  
1
240  
1
mA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
= 5V, I = 1A  
40  
FE  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
I
= 1A, I = 0.1A  
V
V
CE  
C
C
B
(sat)  
= 1A, I = 0.1A  
1.5  
BE  
B
f
V
= 5V, I = 0.5A  
10  
MHz  
T
CE  
C
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSD363Y FAIRCHILD

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