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KSD363Y

更新时间： 2024-01-30 12:37:26

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	59K
描述
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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KSD363Y 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz

KSD363Y 数据手册

KSD363

B/W TV Horizontal Deflection Output

•

Collector-Base Voltage : V

=300V

CBO

Collector Current : I =6A

Collector Dissipation : P =40W(T =25°C)

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

300

CBO

CEO

EBO

120

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

=1mA, I = 0

300

120

CBO

CEO

EBO

= 20mA, I = 0

= 1mA, I = 0

= 250V, I = 0

240

CBO

DC Current Gain

= 5V, I = 1A

(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain Bandwidth Product

= 1A, I = 0.1A

(sat)

= 1A, I = 0.1A

1.5

= 5V, I = 0.5A

MHz

Classification

40 ~ 80

70 ~ 140

120 ~ 240

Rev. A, February 2000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KSD363-Y	SAMSUNG	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSD363YJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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