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KSB772-Y

更新时间: 2024-10-29 13:09:11
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三星 - SAMSUNG 晶体小信号双极晶体管开关功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 268K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126

KSB772-Y 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.72
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):160
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:10 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):80 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

KSB772-Y 数据手册

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