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KSB798-Y

更新时间: 2024-10-30 05:09:43
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三星 - SAMSUNG 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 91K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SOT-89, 3 PIN

KSB798-Y 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-89
包装说明:SOT-89, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.43
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):135JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):110 MHz

KSB798-Y 数据手册

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