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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSB811
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KSB811

更新时间： 2024-10-29 03:48:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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KSB811 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92S
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：110 MHz
Base Number Matches：1

KSB811 数据手册

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KSB811  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
•
•
Complement to KSD1021  
Collector Current : I = -1A  
Collector Power Dissipation : P =350mW  
C
C
TO-92S  
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-25  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-1.0  
A
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
350  
mW  
°C  
°C  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-30  
-25  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I = 0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA, I = 0  
C B  
I = -100µA, I = 0  
V
E
C
I
V
= -30V, I =0  
-0.1  
400  
-0.5  
-1.2  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
= -1V, I = -100mA  
70  
FE  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -1A, I = -0.1A  
V
V
CE  
C
B
(sat)  
I = -1A, I = -0.1A  
C B  
BE  
f
V
= -6V, I = -10mA  
110  
18  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
= -6V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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