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KSB798YTF

更新时间： 2024-10-29 21:11:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 425K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, SOT-89, 3 PIN

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KSB798YTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-89
包装说明：LEAD FREE, SOT-89, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：135
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：110 MHz
Base Number Matches：1

KSB798YTF 数据手册

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July 2005  
KSB798  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
•
Collector Current : IC = -1A  
Collector Power Dissipation : PC = 2W  
Marking  
7 9  
P Y  
8
W W  
SOT-89  
1
Weekly code  
Year code  
hFE grage  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
V
VCEO  
VEBO  
IC  
-25  
V
-5  
V
-1.0  
A
ICP  
Collector Current (Pulse) *  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
-1.5  
A
PC  
2.0  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
* PW ≤ 10ms, Duty cycle ≤ 50%  
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
IC = -100µA, IE = 0  
-30  
-25  
-5  
V
IC = -1mA, IB = 0  
IE = -100µA, IC = 0  
VCB = -30V, IE = 0  
VEB = -5V, IC = 0  
VCE = -1V, IC = -0.1A  
V
V
-0.1  
-0.1  
400  
µA  
µA  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
hFE1  
hFE2  
DC Current Gain  
90  
50  
V
CE = -1V, IC = -1.0A  
VCE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
IC = -1.0A, IB = -0.1A  
IC = -1.0A, IB = -0.1A  
VCE = -6V, IC = -10mA  
VCE = -6V, IC = -10mA  
-0.4  
-1.2  
-0.7  
V
V
V
V
BE (sat)  
BE (on)  
-0.6  
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
110  
18  
MHz  
pF  
Cob  
VCB = -6V, IE = 0, f = 1MHz  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSB798 Rev. B1  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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