5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-89 |
| 包装说明： | SOT-89, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.69 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB798GTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB798-O | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSB798-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB798YTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSB810 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Audio Frequency Amplifier |
|
| KSB810G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
|
| KSB810O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
|
| KSB810-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
|
| KSB810OBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
|
| KSB810OTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
