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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSB794
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KSB794

更新时间： 2024-01-14 16:16:38
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Audio Frequency Power Amplifier

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KSB794 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：2000JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：10 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.5 V

KSB794 数据手册

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KSB794/795  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
Low Speed Switching Industrial Use  
TO-126  
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Volage  
CBO  
CEO  
EBO  
: KSB794  
: KSB795  
- 60  
- 80  
V
V
Collector-Emitter Volage  
: KSB794  
: KSB795  
- 60  
- 80  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
- 8  
- 1.5  
- 3  
V
A
.
R1 = 10 kΩ  
I
I
I
C
.
R2 = 500Ω  
A
CP  
B
- 0.15  
1
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
10  
C
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
T
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤300µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
- 10  
- 1  
Units  
µA  
I
V
V
V
V
= - 60V, I = 0  
CBO  
CER  
CB  
CE  
CE  
CE  
E
I
I
I
= - 60V, R = 51Ω @ T = 125°C  
mA  
µA  
BE  
C
= - 60V, V (off) = 1.5V  
- 10  
-1  
CEX1  
CEX2  
BE  
= - 60V, V (off) = 1.5V  
mA  
BE  
@ T = 125°C  
C
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EBO  
EB  
C
h
h
V
V
= - 2V, I = - 0.5A  
1000  
2000  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 1A  
30000  
-1.5  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= - 1A, I = - 1mA  
V
V
CE  
C
C
B
= - 1A, I = - 1mA  
- 2  
BE  
B
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed.  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
2000 ~ 5000  
4000 ~ 10000  
8000 ~ 30000  
FE2  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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