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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSB798G
KSB798G PDF预览

KSB798G

更新时间： 2024-10-29 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SOT-89, 3 PIN

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KSB798G 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：110 MHzBase Number Matches：1

KSB798G 数据手册

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KSB798  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
•
Collector Current : I = -1A  
Collector Power Dissipation : P = 2W  
C
C
SOT-89  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
CBO  
-25  
CEO  
EBO  
-5  
V
I
I
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
-1.0  
A
C
-1.5  
A
CP  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
2.0  
W
°C  
°C  
C
T
150  
J
T
-55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-30  
-25  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1mA, I =0  
C B  
I = -100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -30V, I =0  
-0.1  
-0.1  
400  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -5V, I =0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -0.1A  
90  
50  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -1.0A  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -1.0A, I = -0.1A  
-0.4  
-1.2  
-0.7  
V
V
CE  
BE  
BE  
C
B
I = -1.0A, I = -0.1A  
C
B
V
= -6V, I = -10mA  
-0.6  
V
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
= -6V, I = -10mA  
110  
18  
MHz  
pF  
T
C
C
= -6V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
90 ~ 180  
135 ~ 270  
200 ~ 400  
FE1  
Marking  
SLX  
h
Grade  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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