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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-89 |
| 包装说明： | LEAD FREE, SOT-89, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB798_05 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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| KSB798G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB798-G | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB798GTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB798-O | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KSB798-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB798YTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB810 | FAIRCHILD |
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Audio Frequency Amplifier |
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| KSB810G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
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| KSB810O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, |
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