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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4000 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSB795R | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSB795-R | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
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| KSB795Y | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
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| KSB795-Y | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126 |
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| KSB798 | FAIRCHILD |
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Audio Frequency Power Amplifier |
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| KSB798 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SOT-89, |
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| KSB798_05 | FAIRCHILD |
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PNP Epitaxial Silicon Transistor |
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| KSB798G | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB798-G | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSB798GTF | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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