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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSB772YS
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KSB772YS

更新时间： 2024-02-29 21:10:56
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 78K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 2000/BULK

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KSB772YS 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.72
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

KSB772YS 数据手册

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KSB772  
Audio Frequency Power Amplifier  
•
•
Low Speed Switching  
Complement to KSD882  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
- 40  
- 30  
- 5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
V
V
I
I
I
- 3  
A
C
- 7  
A
CP  
B
- 0.6  
10  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1
W
a
R
R
Junction to Ambient  
Junction to Case  
132  
°C/W  
°C/W  
°C  
°C  
θja  
θjc  
13.5  
150  
T
Junction Temperature  
J
T
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
- 1  
Units  
I
V
V
= - 30V, I = 0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
E
I
= - 3V, I = 0  
- 1  
EB  
C
h
h
V
V
= - 2V, I = - 20mA  
30  
60  
220  
160  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 1A  
400  
- 0.5  
- 2.0  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= - 2A, I = - 0.2A  
- 0.3  
- 1.0  
80  
V
V
CE  
C
C
B
= - 2A, I = - 0.2A  
BE  
B
f
V
= - 5V, I = - 0.1A  
MHz  
pF  
T
CE  
E
C
V
= - 10V, I = 0  
55  
ob  
CB  
E
f = 1MHz  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%  
h
Classificntion  
FE  
Classification  
R
O
Y
G
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
160 ~ 320  
200 ~ 400  
FE2  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, October 2002  
12345

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