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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 23 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMB6D0DN30QA | KEC |
获取价格 |
Dual N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB6D0DN30QA_08 | KEC |
获取价格 |
Dual N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB6D0DN35QA | KEC |
获取价格 |
Dual N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB6D0DN35QB | KEC |
获取价格 |
Dual N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB6D0NP40QA | KEC |
获取价格 |
N and P-Ch Trench MOSFET |
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| KMB6D6N30 | KEC |
获取价格 |
FLP-8 PACKAGE |
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| KMB6D6N30Q | KEC |
获取价格 |
N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB7D0DN40QA | KEC |
获取价格 |
Dual N-Ch Trench MOSFET |
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| KMB7D0DN40QA_0712 | KEC |
获取价格 |
FLP-8 PACKAGE |
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| KMB7D0DN40QA_09 | KEC |
获取价格 |
Dual N-Ch Trench MOSFET |
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