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KMB7D0N40QA

更新时间： 2024-02-29 13:46:30

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描述
N-Ch Trench MOSFET

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KMB7D0N40QA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KMB7D0N40QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB7D0N40QA

TECHNICAL DATA

N-Ch Trench MOSFET

GENERAL DESCRIPTION

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching

time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche

characteristics. It is mainly suitable for power management in pc, portable

equipment and battery powered systems.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

4.85 0.2

V_DSS=40V, I_D=7A.

3.94 + 0.2

Drain-Source ON Resistance.

R_DS(ON)=25m (Max.) @V_GS=10V

R_DS(ON)=45m (Max.) @V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design

High Power and Current Handing Capability

6.02 0.3

0.4 + 0.1

0.15+0.1/-0.05

B1 B2

1.63+ 0.2

0.65 0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

FLP-8

Maximum Ratings (Ta=25 Unless otherwise noted)

CHARACTERISTIC

Drain Source Voltage

SYMBOL PATING UNIT

V_DSS

V_GSS

I_D*

I_DP

Gate Source Voltage

Drain Current

Pulsed

KMB7D0N

40QA

I_S

Drain Source Diode Forward Current

1.7

T_A=25

Drain Power Dissipation

T_A=100

P_D*

1.44

-55~150

62.5

T_j

Maximum Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

R_thJA*

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Note) *Surface Mounted on 1 1 FR4 Board.

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2008. 1. 25

Revision No : 0

1/4

12 3 4

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