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KMB7D6NP30Q

更新时间: 2024-02-29 20:49:51
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 370K
描述
FLP-8 PACKAGE

KMB7D6NP30Q 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏源导通电阻:0.02 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

KMB7D6NP30Q 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KMB7D6NP30Q  
FLP-8 PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking.  
2. Marking  
1
3
KMB7D6  
NP30Q  
2
601  
No.  
Item  
Marking  
Description  
KMB7D6NP30Q  
Pin 1  
Device Name  
Pin No.  
KMB7D6NP30Q  
Dot  
6
Year  
0~9 : 2000~2009  
01 : 1st Week  
Lot No.  
601  
01  
Week  
2006. 6. 12  
Revision No : 0  
1/1  

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