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KMB8D2N60QA

更新时间： 2024-02-28 01:28:47

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描述
N-Ch Trench MOSFET

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KMB8D2N60QA 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	8.2 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KMB8D2N60QA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMB8D2N60QA

TECHNICAL DATA

N-Ch Trench MOSFET

GENERAL DESCRIPTION

This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low

on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristiscs. It is mainly

suitable for portable for portable equipment and SMPS.

FEATURES

V_DSS=60V, I_D=8.2A.

DIM MILLIMETERS

4.85 0.2

Drain-Source ON Resistance.

R_DS(ON)=22m (Max.) @ V_GS=10V

R_DS(ON)=27m (Max.) @ V_GS=4.5V

Super High Dense Cell Design

3.94 + 0.2

6.02 0.3

0.4 + 0.1

0.15+0.1/-0.05

B1 B2

1.63+ 0.2

0.65 0.2

1.27

MOSFET Maximum Ratings (Ta=25 Unless otherwise noted)

0.20+0.1/-0.05

CHARACTERISTIC

Drain Source Voltage

SYMBOL PATING UNIT

V_DSS

V_GSS

Gate Source Voltage

8.2

6.6

DC@T_A=25

DC@T_A=70

Pulsed

FLP-8

I_D*

Drain Current

I_DP

I_S

Drain Source Diode Forward Current

3.0

T_A=25

Drain Power Dissipation

T_A=70

P_D*

2.0

KMB8D2N

60QA

T_j

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

-55~150

T_stg

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Note : *Surface Mounted on 1 1 FR4 Board

PIN CONNECTION (TOP VIEW)

2007. 9. 3

Revision No : 1

1/4

12 3 4

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